PROCEDEU ŞI INSTALAŢIE DE OBŢINERE PRIN PROCES IN SITU A MATERIALELOR COMPOZITE CU MATRICE DIN ALIAJE DE ALUMINIU ŞI PARTICULE DE RANFORSARE DIN CARBURI

Price not visible for this package

Interest:

Assignment

Publication info:

No.: RO127408

Date: 30.05.2012

Inventor(s):

SOARE VASILE [RO]

MITRICĂ DUMITRU [RO]

MOLDOVAN PETRU [RO]

BUŢU MIHAI [RO]

CARCEA IOAN [RO]

Applicant(s):
INST NAŢIONAL DE CERCETARE DEZVOLTARE PENTRU METALE NEFEROASE ŞI RARE IMNR [RO]
CT DE CERCETARE ŞI EXPERTIZARE MATERIALE SPECIALE CEMS DIN UNIVERSITATEA POLITEHNICĂ B [RO]
UNIV TEHNICA GHEORGHE ASACHI DIN IASI [RO]
Classification:
International patent classification (IPC):
C22C21/04; F27B1/09

Cooperative patent classification (CPC):
Y02P10/143 (EP)
Application info:
No.: RO20100000835
Date: 15.09.2010
Priority number(s):
RO20100000835 15.09.2010
BOPI:
Description:

Invenţia se referă la un procedeu şi la o instalaţie de obţinere a unor materiale compozite cu matrice metalică din aliaje de aluminiu aliate cu elemente care formează carburi, cum sunt Si,Ti sau alte asemenea, ranforsate cu particule ceramice din carburi de Si, carburi de Ti sau particule ceramice din alte carburi, obţinute printr-un proces, desfăşurat în atmosferă de argon prin insuflarea de gaz metan introdus în amestec. Procedeul conform invenţiei are ca fundament proceselechimice de disociere a gazului metan şi de reacţie între carbonul format şi siliciul din aliajul lichid, la temperaturi cuprinse între 900 şi 1100°C, reacţia dintre carbon şi siliciu desfăşurându-se simultan cu cea dintre carbon şi aluminiu, şi are următoarele etape: disocierea metanului în particule de carbon şi hidrogen, difuzia particulelor de carbon către interfaţa gaz/topitură, difuzia particulelor de carbon în topitură şi reacţia carbonului cu siliciul din topitură cu nucleerea şi creşterea particulelor SiC-monomer şi SiC-cristal, compozitele cu matrice din aliaje de Al-Si şi particule de ranforsare de SiC, cu dimensiuni mici de 5...10 μ, se obţin prin insuflarea amestecului de gaz 10% CH/90% Ar în matricea de aliaj lichid care conţine minimum 7% Si şi 0,5...0,7% Mg, la temperaturi cuprinse între 900 şi 1100°C, timp de 5...10 hx2c; răcirea şi retopirea compozitului primar la 670...700°C, timp de 5...10 min, pentru omogenizare, urmată de turnarea în forme. Instalaţia conform invenţiei are o cameră () de topire-reacţie cu un capac () răcit cu apă, două racorduri () prin care circulă apa de răcire, un racord prin care circulă continuu gazul de protec