DIODĂ SCHOTTKY PENTRU APLICAŢII OPTOELECTRONICE

Price not visible for this package

Interest:

Assignment

Publication info:

No.: RO121498

Date: 29.06.2007

Inventor(s):

MOAG ER POLADIAN GABRIEL [RO]

Applicant(s):
MOAG ER POLADIAN GABRIEL [RO]
Classification:
International patent classification (IPC):
G02F1/01; G02F1/015; H01L29/872; H01L31/101; H01L31/108

Cooperative patent classification (CPC):
Application info:
No.: RO20030000163
Date: 28.02.2003
Priority number(s):
RO20030000163 28.02.2003
Description:

Invenţia se referă la o diodă Schottky pe bază de semiconductori degeneraţi, care este folosită ca dispozitiv optoelectronic. Dioda conform invenţiei constă dintr-un semiconductor (4) degenerat, metalul (5) pentru contact Schottky cu semiconductorul (4) degenerat, electrodul (10) metalic deformă inelară pentru contactul ohmic al semiconductorului (4) ?i acoperirea (9) antireflectivă de bandă largă a semiconductorului (4) ?i, respectiv, a metalului (5). Ca dispozitiv optoelectronic, acest tip de diodă Schottky modulează electro-optic radiaţia electromagnetică incidentă, modulează opto-optic radiaţia electromagnetică incidentă, permite automodularea radiaţiei electromagnetice incidente, converte?te lungimea de undă a radiaţiei electromagnetice incidente.