PROCEDEU DE FABRICAŢIE PE SILICIU A DISPOZITIVELOR PENTRU DETECŢIA ŞI CARACTERIZAREA MOLECULELOR BIOLOGICE ÎNCĂRCATE CU SARCINĂ ELECTRICĂ

Price not visible for this package

Interest:

Assignment

Publication info:

No.: RO126615

Date: 30.08.2011

Inventor(s):

BABARADA FLORIN [RO]

MANEA ELENA [RO]

RAVARIU CRISTIAN [RO]

Applicant(s):
UNIV POLITEHNICA DIN BUCURESTI [RO]
Classification:
International patent classification (IPC):
H01L21/331

Cooperative patent classification (CPC):
Application info:
No.: RO20090001023
Date: 07.12.2009
Priority number(s):
RO20090001023 07.12.2009
Related patents:
RO126615
BOPI:
Description:

Invenţia se referă la un procedeu de fabricaţie pe siliciu a dispozitivelor pentru detecţia şi caracterizarea moleculelor biologice încărcate cu sarcină electrică, ce pot fi utilizate pentru realizarea unei game largi de măsurători chimice, biologice şi biochimice, cu largi aplicaţii în sănătate, industrie şi în alte domenii. Procedeul conform invenţiei constă în creşterea unui oxid (8) pe o plachetă de siliciu de tip p, care constituie un substrat (7) în care se deschid nişte ferestre corespunzătoare unei arii active, cu ajutorul unei măşti (1), şi în care este crescut un oxid de siliciu prin care se face implantarea unor inele de izolare de tip P+, prin implantare cu ioni de bor în fotorezist (9), utilizând o mască (2), apoi se îndepărtează fotorezistul (9) şi se redepune un alt strat de fotorezist (11), care se configurează cu o altă mască (3), denumită N+, pentru realizarea unor zone de drenă, respectiv, de sursă, prin care se dopează substratul prin implantare cu ioni de fosfor (P), după care se îndepărtează fotorezistul (11) şi se face redistribuirea impurităţilor inelelor de izolare de tip P+ şi a drenelor, respectiv, surselor de tip N+, printr-un tratament termic în atmosferă oxidantă de oxigen şi vapori de apă, apoi se deschid nişte ferestre de poartă, cu ajutorul unei alte măşti (4), prin care se va face implantarea de ajustare a tensiunii de prag a tranzistoarelor, cu ajutorul ionilor de fosfor (P), pentru formarea unui canal iniţial, după care se redeschid ferestrele de grilă şi se depune un strat dielectric de bioxid de titan, care este configurat şi urmat de depunerea unui strat de nitrură de siliciu, care v