Description:

Invenţia se referă la o instalaţie şi un procedeu de sinteză şi control al dopajului cu atomi metalici a straturilor subţiri, obţinute prin depunere în descărcare magnetron pulsată. Instalaţia conform invenţiei este compusă din următoarele: o cameră de depunere (), legată, prin intermediul unei trape (), la un sistem de vidare, alcătuit dintr-o pompă () mecanică uscată şi dintr-o pompă () turbomoleculară, un catod () de tip magnetron, ecranat electric cu un ecran () conectat electric, împreună cu camera () de depx75;nere, la masă, o ţintă () magnetron, sub forma unui disc, două controlere () de debit masic, pentru reglarea debitelor de gaze, un generator () de pulsuri de tensiune, care asigură, în intervalul de timp dintre pulsuri, o valoare constantă a intensităţii curentului electric, prin descărcarea magnetron, şi o sursă () de curent continuu, care asigură o valoare constantă a tensiunii de polarizare pe un electrod () auxiliar. Procedeul conform invenţiei constă în două descărcări electrice care operează simultan în amestec de gaz inert şi gaz reactiv, descărcarea magnetron pulsată fiind folosită pentru pulverizarea materialului ţintei (), iar descărcarea auxiliară fiind folosită pentru pulverizarea atomilor dopanţi, controlul dopajului făcându-se modificând valoarea tensiunii la bornele sursei ().