Description:

Invenţia se referă la o metodă şi la o instalaţie de creştere de grafene epitaxiale sau nonepitaxiale, prin prelucrarea cu laser cu COa filmelor subţiri de SiC/SiO. Metoda conform invenţiei se bazează pe descompunerea termică a unui strat subţire de SiC, depus prin diferite metode pe un substrat, care este iradiat o durată controlată de timp, în aşa fel încât, după descompunerea SiC, siliciul este înlăturat prin sublimare termică, după care stratul de carbon se rearanjează epitaxial sau nonepitaxial, în funcţie de substratul utilizat. Există posibilitatea ca substratul, în funcţie de necesităţi, să fie preîncălzit la o temperatură de până la 500°C, pentru eliminarea tensiunilor termice din timpul prelucrării, încălzirea şi răcirea fiind foarte rapide, întregul proces termic pe suprafaţa substratului fiind monitorizat de un pirometru digital, cu înregistrarea datelor din timpul procesului. Instalaţia conform invenţiei este alcătuită dintr-o sursă laser, dintr-un sistem de măsurare a puterii fasciculului laser în timp real, dintr-un sistem de obturator cu timp de expunere presetat, cu înregistrare generală a duratei de expunere, dintr-un ansamblu de transport şi prelucrare a fasciculului care permite controlul suprafeţei şi a densităţii de putere a expunerii, dintr-o cameră de reacţie şi dintr-o unitate centrală de gestionare date.