Description:

Invenţia se referă la un tranzistor cu efect de câmp, de tip cavitate pe izolator, şi un procedeu de realizare a tranzistorului. Tranzistorul conform invenţiei este alcătuit dintr-un substrat (1) din siliciu, acoperit cu un strat (2) de oxid de siliciu pe care se află un strat (10) de siliciu de tip p, pe stratul (2) de oxid de siliciu fiind dispuse două insule (3, 4) semiconductoare, puternic dopate nşi înalte, legate între ele printr-un film (9) semiconductor de tip p, cu grosimi sub 4 nm, ce permite deasupra sa existenţa unei cavităţi (5) cu vacuum ce ocupă întreg spaţiul dintre insule (3, 4) n, care sunt legate la un terminal sursă (6) şi un terminal drenă (7), pe spatele structurii (1) fiind plasat un terminal poartă (8). Procedeul conform invenţiei constă în următoarele faze: se alege o plachetă tip SOI, siliciu pe izolator, cu un strat iniţial monocristalin, se aplică tehnici de subţiere a stratului, după care se definesc, în cadrul unui prim proces de mascare, nişte insule n, de sursă şi drenă, dopate controlat cu impurităţi donoare, apoi urmează un al doilea proces de mascare, respectiv, corodarea stratului de siliciu p, după care se depun contactele metalice, la nivelul al treilea de mascare, pe regiunile n, pentru terminalele sursă şi drenă, şi pe spatele plachetei, pentru terminalul poartă, etapa finală fiind de decupare de pe plachetă, etanşare şi încapsulare.