Description:

Invenţia se referă la o instalaţie şi la un procedeu pentru sinteza în câmp de microunde a semiconductorilor calcogenici multinari, de tip (Ag, In)ZnS, cu x cuprins între 0 şi 1. Instalaţia conform invenţiei este alcătuită dintr-un cuptor cu microunde comercial, modificat, sau dintr-un ghid de undă (), dintr-un generator () de microunde comandat cu ajutorul unui bloc () de comandă, dintr-o antenă de microunde formată dintr-un disc () metalic şi o bară () metalică, aflată în contact intim cu discul (), pe care este aşezat un creuzet () de alumină sau cuarţ, care este amplasat în interiorul unui tub () realizat din cuarţ sau alt material dielectric rezistent la temperatură înaltă, prevăzut cu un dop () cu furtun prin care se poate introduce gaz inert, şi dintr-o instalaţie () dedicată, în care se poate face vacuum, în cazul în care are loc o etanşare între tubul () de cuarţ şi bara () metalică, utilizând o linie de vacuum () care poate fi accesată utilizând o valvă () cu trei căi. Procedeul conform invenţiei constă din folosirea unui amestec pulverulent intim, omogenizat, de metale şi sulf, vrac sau sub formă de pastilă, ce reacţionează spontan în mediu de gaz inert, după amorsarea reacţiei cu ajutorul plasmei, şi care apoi absoarbe o radiaţie de microunde, menţinând amestecul reactiv la o temperatură de peste 1000°C, ceea ce produce un intens proces de difuziune a ionilor, cu obţinerea unui produs de reacţie omogen din punct de vedere compoziţional.