Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu pentru selecţia de fiabilitate a structurilor semiconductoare cu joncţiuni p-n. Procedeul conform invenţiei constă în aceea că stresul de îmbătrânire acccelerată, împreună cu iradierea cu fascicul laser de lungime de undă adecvată pentru excitarea tranziţiilor purtătorilor minoritari pe nivele adânci, se aplică secvenţial, structură cu structură, prin montarea plachetei cu structuri semiconductoare procesate pe o masă de lucru a unui echipament de testare, astfel încât sondele de test ale acestui echipament sunt utilizate pentru polarizarea electrică a joncţiunii de interes, precum şi pentru monitorizarea, pe un caracterograf, a caracteristicii inverse a joncţiunii respective, iar iradierea cu laser a zonei active a structurii este realizată prin intermediul unui obiectiv de focalizare a radiaţiei laser, radiaţia laser în infraroşu fiind emisă de o diodă laser şi transmisă printr-un cablu cu fibre optice împletite, care permit transmisia prin acelaşi obiectiv şi a unei radiaţii laser în vizibil - roşu, care serveşte la alinierea sistemului de către operator, pentru structurile nefiabile, stresul aplicat determinând o acccelerare locală a mecanismului de defectare, prin formarea de "hot-spot", degadarea locală a structurilor apărând la durate de stres de ordinul minutului, modul de manifestare fiind o modificare a caracteristicii inverse a joncţiunii, de tipul celei ilustrate, structurile astfel degradate fiind marcate ca structuri nefiabile.