Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unor straturi subţiri perovskitice de titanat de sodiu şi bismut NaBiTiO(prescurtat NBT), cu caracteristici morfologice, structurale, optice şi dielectrice compatibile cu aplicaţiile electronice de joasă frecvenţă, bazate pe tehnologia siliciului, folosind tehnica de depunere cu laseri pulsaţi. Procedeul conform invenţiei constă în depunerea, pe un substrat ţintă de siliciu metalizat cu un strat de platină gros de 100 nm, a unor straturi subţiri de NaBiTiO, folosind tehnica de depunere cu laseri pulsaţi, rezultând o depunere de NTB/ Pt/Si cu grosimea totală de 417,272 ± 3,57 nm, având valoarea lărgimii benzii interzise de 3,8 +/- 0,05 eV, valori ale pierderilor dielectrice sub 0,05 şi valoari ale permisivităţii dielectrice de 1450 la 10 kHz.