Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a filmelor subţiri de ZnSnSbşi MnGeSb, dopate cu metale de tranziţie, prin depunere cu laser pulsat, destinate tehnologiei semiconductorilor magnetici diluaţi, cu aplicaţii în domeniul surselor de energie, al microelectronicii, spintronicii, optoelectronicii, tehnologiei informaţiei. Procedeul conform invenţiei constă din ablarea cu laser cu excimeri a unor ţinte din compuşi ternari sau ablarea alternativă a unor ţinte din compuşi binari constitutivi ai ternarilor, cu un număr de pulsuri corespunzător unei grosimi de film predeterminate, integrând la un moment dat un film foarte subţire, obţinut prin ablarea unor ţinte de metale de tranziţie (Co sau Fe) pentru dopaj, succesiunea secvenţelor conducând la depunerea de structuri multistrat de 3...20 filme individuale, pe substraturi semiconductoare sau izolatoare aflate la temperaturi de 200...700°C, depunerea având loc la o fluenţă de 1...5 J/cmşi o presiune de lucru de 10...10Torr, fiind urmată de un tratament termic la temperatura substratului, cu durata de 30...180 min, urmat de scăderea temperaturii cu o viteză de 1...5°C/min, până la temperatura camerei, depunerea şi tratamentul termic desfăşurându-se în atmosferă controlată, rezultatul fiind filme omogene din compuşii ternari menţionaţi anterior, cu grosimi de 20...400 nm, în funcţie de numărul de pulsuri laser, cu stoechiometrie şi proprietăţi optice, electrice, magnetice, reproductibile şi temperaturi Curie de 320...640°K.