Descriere:

Invenţia se referă la materiale semiconductoare din straturi subţiri, pe bază de InZnN, sub formă de monostraturi depuse pe un substrat rigid sau flexibil, având un strat intermediar de AlN, aderente la suportul pe care au fost depuse, şi care sunt utilizate pentru realizarea de dispozitive optoelectronice diverse. Straturile conform invenţiei sunt obţinute prin metoda pulverizării într-o plasmă reactivă ce conţine atomi şi ioni de indiu, zinc, aluminiu şi azot, materialele din nitruri fiind realizate din două straturi subţiri individuale, un strat stoichiometric de AlN, ca strat intermediar, depus direct pe substrat, cu grosimi cuprinse între 10...50 nm, şi un strat de InZnN cu grosimi cuprinse între 100...3000 nm, unde 0,5 ≤ x ≤ 1,0, iar 0 ≤ y ≤ 0,5, cu condiţia ca 0,8 ≤ x+y ≤ 1,2, materialele având aderenţă ridicată la substrat şi efect de fotoluminescenţă la temperatura camerei în domeniul cuprins între 350...1400 nm.