Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unor elemente nanometrice. Procedeul conform invenţiei constă din depunerea de fotorezist pe plăci de borosilicat degresate, prin centrifugare la 1500 rpm, uscarea plăcii acoperite cu fotorezist în cuptor cu radiaţie IR la 80°C, expunerea cronometrată a plăcii acoperite cu mască la radiaţie UV, developarea fotorezistului în soluţie 0,7% de KOH, uscarea prin centrifugare la 2000 rpm, uscarea măştii cu fotorezist în cuptor cu radiaţie UV la 120°C, corodarea în vapori de florură de amoniu cu acid fluorhidric în raport 1 : 7, urmată de spălare, uscare şi înlăturarea măştii de fotorezist în soluţie 10% de KOH şi din nou spălare şi uscare, din care rezultă un element nanometric lipsit de impurităţi.