Descriere:

Invenţia se referă la un material semiconductor din straturi subţiri pe bază de InAlN1-x-y, sub formă de monostraturi depuse pe un substrat flexibil, având un strat intermediar de AlN, aderente la suportul flexibil pe care au fost depuse şi care sunt utilizate pentru realizarea de dispozitive optoelectronice diverse. Materialul conform invenţiei este obţinut printr-o metodă de depunere fizică, din faza de vapori, prin pulverizare magnetron, într-o plasmă reactivă, ce conţine atomi şi ioni de indiu, aluminiu, azot şi argon, materialul fiind realizat din două straturi subţiri, individuale, un strat stoichiometric de AlN, ca strat intermediar, depus direct pe substratul flexibil, cu grosimi cuprinse între 10 şi 100 nm, şi un strat de InAlN, cu grosimi cuprinse între 50 şi 3000 nm, unde 0,5 ≤ x ≤ 1,0, iar 0 ≤ y ≤ 0,5, cu condiţia ca 0,9 ≤ x+y ≤ 1,1. Materialul are o grosime cuprinsă între 60 şi 3100 nm, prezintă aderenţă ridicată la substrat, are bandăinterzisă cuprinsă între 1,2 şi 3,8 eV, şi emisie prin efect de fotoluminescenţă, măsurată la temperatura camerei, în domeniul lungimilor de undă cuprins între 430 şi 1000 nm.