Descriere:

Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a unor semiconductori oxidici. Procedeul conform invenţiei constă din dizolvarea azotaţilor de Co şi Zn, la un raport molar Zn/Co = (1-x)/x, unde x = 0,04, 0,06, 0,1, în apă distilată, soluţia apoasă rezultată se încălzeşte la la 40...60°C, se adaugă soluţii apoase de polivinilpirolidonă şi dextran, astfel încât să se obţină un raport molar Zn/Co/PVP/dextran = (1-x)/x/0,05/0,05, după care soluţia rezultată se încălzeşte la 40...80°C, timp de 10...24 h, pentru a permite formarea gelului, în final rezultând un sol omogen şi stabil de precursor de ZnCoO, din care se formează filme subţiri de semiconductor oxidic cu diluţie magnetică, ZnO dopat cu Co, prin depunerea succesivă a trei straturi de precursor pe substratul de SiO/Si sau de sticlă optică, având o viteză de 3000...4000 rpm, pretratament termic al filmelor la 90...100°C, timp de 30...60 min, şi tratament termic la 600...850°C, timp de 30 ...120 min, în atmosferă de oxigen.