Descriere:

Invenţia se referă la o metodă pentru felierea unui material, pentru a obţine nişte plachete semiconductoare şi dielectrice. Metoda conform invenţiei constă în crearea, cu ajutorul unui fascicul (1) laser în impulsuri, focalizat într-un material (4), a unor zone (A, B, ....) cu proprietăţi mecanice şi/sau structurale diferite, aceste zone (A, B, ...) fiind coplanare, după care materialul (4) este supus unui efort de forfecare, paralel cu planul în care sunt situate zonele (A, B,...) respective, astfel încât cele două părţi ale materialului (4), separate de acel plan, să se desprindă una de alta, după aceasta urmând un tratament al celor două părţi rezultate din material (4), în vederea şlefuirii suprafeţelor acestora, printr-un procedeu în sine cunoscut, dacă este cazul.