Descriere:

Prezenta invenţie se referă la un procedeu de obţinere a unei structuri fotosenzitive de TiOdepus pe suport de GaAs. Conform invenţiei, procedeul constă în depunerea pe substrat din GaAs monocristalin a unui strat subţire de TiO, prin metoda sol-gel, urmată de un tratament termic, la 800°C, timp de 2 h; electrozi din Au-Ge, pe faţa cu GaAs, şi de Au, pe faţa cu TiO, se depun prin evaporare în vid; se face lipirea cu indiu topit, pe faţa Au-Ge/GaAs, şi cu fir de indiu, pe Au/TiO, în aer, la 200-250°C. În final, ansamblul structurii senzitive se încapsulează pe suport tip ambază TO39, cu capac de sticlă.